FDD068AN03L技术资料:MOSFET N-CH 30V 35A D-PAK
标准包装:2,500系列:PowerTrench®包装:带卷 (TR)FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物FET 功能:逻辑电平门漏源极电压 (Vdss):30V电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):35A不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):5.7 毫欧 @ 35A,10V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):60nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):2525pF @ 15V功率 - 最大值:80W安装类型:表面贴装封装:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63供应商器件封装:D-Pak